A02：Siナノドットの非線形光学特性変化に対する動力学的解析

研究組織

研究代表者

重田育照

大阪大学大学院基礎工学研究科・准教授

研究概要

物質にレーザー光のような非常に強い光が照射されると、光電場に非線形に応答する分極が観測される。この非線形光学応答特性に優れた材料は、超高速スイッチや大容量記憶装置等の光デバイスに利用される基盤物質として大変重要である。

一方、現代の高度情報化社会を支える基盤物質の一つはシリコンであり、その微細化技術の進展により、ナノサイズのシリコンを合成できるようになってきた。
その中でも半導体の超微粒子であるナノ結晶は、光学的・電気的・磁気的物性がサイズによって著しく変化し、分子や固体とは異なる挙動を示すため、新しい機能性材料として注目されている。

本申請課題では、ナノメートルオーダーのシリコン結晶の3次非線形光学応答量の欠陥依存性ならびにキャリア（電子・正孔）注入・放出の動的過程を、実空間密度汎関数法（RSDFT）に基づくCar-Parrinello分子動力学法（RS-CPMD）により解析し、光応答メモリの実現に向けた基礎研究を行う。

研究室ウェブサイト

連携研究者

岩田潤一（実空間密度汎関数、シリコンナノワイヤー）
東京大学大学院工学系研究科・講師
中野雅由（非線形光学特性、分子設計）
大阪大学大学院基礎工学研究科・教授

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