A03：磁性半導体における荷電不純物の同時ドーピングによる特性制御と新規材料の開発

研究組織

研究代表者

黒田眞司

筑波大学数理物質系・教授

研究概要

本研究課題では、磁性元素の半導体への固溶度が低い希薄磁性半導体(DMS)で生じる磁性元素の凝集に着目し、ドナーまたはアクセプターの同時ドーピングあるいは結晶成長条件により凝集を制御する手法を開発し、強磁性特性の優れた新材料の実現を目指す。具体的には、II-VI族およびIV-VI族半導体に3d遷移元素を添加したDMS薄膜を分子線エピタキシー法により作製し、ドナー／アクセプターの同時ドーピングあるいはMBE成長条件により固溶度を制御し、結晶中の磁性元素の凝集／固溶を制御した系を作製し、高いキュリー温度またはブロッキング温度を有する新規スピントロニクス材料の開発を目指す。

研究室ウェブサイト

連携研究者

金澤研
筑波大学数理物質系・助教
秋山了太
筑波大学数理物質系・助教
三留正則
物質・材料研究機構・MANA研究者
大渕博宣
高輝度光科学研究センター

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