A03：第一原理手法による遷移金属酸化物人工超格子の大規模計算

研究組織

研究代表者

石井史之

金沢大学理工研究域・准教授

研究概要

密度汎関数法に基づく第一原理計算手法によって、多様な物性を示す遷移金属酸化物の界面に形成される特異な電子状態と物性を明らかにし、次世代のデバイス応用へ向けて有用な人工超格子の理論物質設計をおこなう。具体的には長周期の遷移金属酸化物人工超格子における原子構造を明らかにし、人工超格子の電子状態やスピン構造、スピン軌道相互作用 (SOI) の内部電界による影響を明らかにする。酸化物界面における二次元電子系を形成する系の電子状態のゲート電圧・電気分極反転による、電子状態制御の可能性について調べ、スピン軌道分裂を示す人工超格子を探索、設計する。
基板選択 (エピタキシャル歪み) による電子状態、物性の変化を明らかにするため、SOI、ノンコリニア磁性を考慮した伝導特性の予測をおこなう。

研究室ウェブサイト

連携研究者

斎藤峯雄
金沢大学理工研究域・教授

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